2014年 應(yīng)用技術(shù)
初期階段 本發(fā)明涉及一種延長(zhǎng)多層單元閃存使用壽命的方法，該方法包含下列步驟：
1）提供多層單元閃存，包含記憶區(qū)塊； 2）讀取記憶區(qū)塊所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)； 3）以錯(cuò)誤校正碼（ECC）單元對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行錯(cuò)誤校正； 4）當(dāng)數(shù)據(jù)錯(cuò)誤個(gè)數(shù)超過默認(rèn)值，抹除記憶區(qū)塊的數(shù)據(jù)； 5）重新寫入數(shù)據(jù)至記憶區(qū)塊。 ... 
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