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高性能CMOS成像芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與應用
完成人: 徐江濤;聶凱明;高靜;高志遠;韓立鏹;史再峰;姚素英;李斌橋;陳杰;曠章曲;李曉晨;羅文哲;
第一完成單位: 天津大學
關(guān)鍵詞: CMOS成像芯片;CMOS圖像傳感器;時間過采樣技術(shù);
研究起止時間: 2011.01 至2018.05
課題來源: 國家科技計劃
合作形式: 與企業(yè)合作
所處階段: 成熟應用階段
成果水平: 國際領(lǐng)先
成果屬性: 原始性創(chuàng)新
成果體現(xiàn)形式: 新技術(shù)
成果簡介
  1、項目來源
  本研究來源于國家重大專項02專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”子課題“TDI型CIS芯片的前端設(shè)計與芯片測試驗證”,課題編號2011ZX02505-005;天津市科技支撐計劃重大項目“TDI型CIS芯片設(shè)計與測試驗證”,課題編號11ZCZDGX20300;國家自然科學基金重點項目“90納米以下高性能CMOS圖像傳感器關(guān)鍵技術(shù)研究”,課題編號61036004。 ...
合作完成單位
  • 天津慧微電子研發(fā)科技有限公司
  • 天津安泰微電子技術(shù)有限公司
國家科技計劃支持
  • 國家科技重大專項
獲獎情況
  • 天津市科技進步獎一等獎(2018)
成果專利Top5
  • Digital Domain Accumulative CMOS-TDI Image Sensor with Low Power Consumption
  • Current Accumulative Pixel Structure For CMOS-TDI Image Sensor
  • 電荷快速轉(zhuǎn)移的四管有源像素及其制作方法
  • 高行頻CMOS-TDI圖像傳感器
  • 采用多斜坡電壓作參考電壓的數(shù)字像素曝光方法
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