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離子束技術(shù)為磁過濾陰極真空弧沉積技術(shù)與MEVVA源離子注入技術(shù)復(fù)合技術(shù)。磁過濾陰極真空弧沉積技術(shù)是一種新型離子束薄膜制備方法，它通過磁過濾技術(shù)，過濾掉弧源產(chǎn)生的大顆粒和中性原子，得到無大顆粒的純等離子束。MEVVA源離子注入技術(shù)是利用陰極和陽極間的真空弧放電產(chǎn)生大量的金屬等離子體，在電場的作用下被引出而形成的強(qiáng)流金屬離子束。該復(fù)合技術(shù)不僅有效地克服了普通弧源沉積方法中由于大顆粒的存在而產(chǎn)生的問題，而且保持了極高的沉積速率。
離子束技術(shù)解決了選定涂層與選定基材相容性或結(jié)合力較低的問題，從而實(shí)現(xiàn)各類結(jié)構(gòu)復(fù)雜部件的高質(zhì)量表面處理。在強(qiáng)化涂層潔度、硬度、抗磨損、抗氧化、抗腐蝕等理化性能，進(jìn)而提高關(guān)鍵部件在正?；驑O端條件下的服役可靠性和使用壽命等方面發(fā)揮了重要作用，可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體元件、電子元器件、機(jī)械加工、航天航空、新能源、醫(yī)用精密零部件等領(lǐng)域，市場需求旺盛。如：利用離子束無膠高性能低介電低損耗聚合物覆銅，微型刀具離子束沉積多元陶瓷涂層以及DLC涂層表面處理，延長刀具使用壽命，通信基站關(guān)鍵零部件的離子束金屬化處理等。
為滿足市場需求，項(xiàng)目開展了專項(xiàng)研發(fā)，創(chuàng)新開發(fā)了高脈沖偏壓磁過濾陰極真空弧與MEVVA源復(fù)合寬域離子束技術(shù)。通過開發(fā)高脈沖偏壓系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)離子能量寬域化；利用MEVVA源實(shí)現(xiàn)目標(biāo)薄膜與工件表面處理層形成錨釘效應(yīng)，大幅提高涂層與基材的結(jié)合牢固度；研制了可低溫成膜的離子束薄膜表面沉積專用設(shè)備及磁過濾掃描磁場關(guān)鍵部件，通過磁場耦合結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提高了復(fù)雜結(jié)構(gòu)部件的表面處理質(zhì)量；研發(fā)了無膠高性能低介電低損耗聚合物覆銅、微型刀具表面沉積多元陶瓷涂層以及DLC涂層、通信基站關(guān)鍵零部件離子束金屬化等表面處理工藝，滿足了不同行業(yè)用戶替代進(jìn)口應(yīng)用需求。
項(xiàng)目具有自主知識產(chǎn)權(quán)，已獲多件國家授權(quán)發(fā)明專利。項(xiàng)目關(guān)鍵技術(shù)及工藝已推廣應(yīng)用，產(chǎn)品經(jīng)用戶使用反映良好，應(yīng)用前景廣闊。

1.羅 軍  2.陳 琳  3.陳小曼  4.劉陽波  5.龐 盼  6.王桂岳