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研發(fā)成果主要有以下幾個(gè)方面：
成果一：高性能、系列化SiC MOSFET功率模塊
成功自主研發(fā)并掌握了1200V電壓等級(jí)，覆蓋300A至800A主流電流規(guī)格的新能源汽車(chē)用SiC MOSFET功率模塊的設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵技術(shù)。形成了包括DWC3、F4(HP1)、DWC4(HPdriver)等多種封裝形式在內(nèi)的產(chǎn)品系列。模塊關(guān)鍵性能參數(shù)達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水平，例如，HSS800F120AD3/AC4在Tj=25°C時(shí)Rdson低至1.8mΩ，最高工作結(jié)溫可達(dá)175°C。
成果二：先進(jìn)的低寄生電感與高效散熱封裝技術(shù)
針對(duì)SiC器件高速開(kāi)關(guān)需求，成功開(kāi)發(fā)并應(yīng)用了低寄生電感（Ls）功率模塊封裝技術(shù)，根據(jù)不同封裝類(lèi)型，寄生電感控制在≤5nH至≤10nH的優(yōu)異水平，有效保障了開(kāi)關(guān)波形的質(zhì)量和器件的穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí)，創(chuàng)新性地應(yīng)用了包括直接水冷、雙面散熱在內(nèi)的高效散熱結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了極低的熱阻（先進(jìn)封裝如雙面散熱可達(dá)約0.05K/W），解決了高功率密度下的散熱瓶頸問(wèn)題。
成果三：優(yōu)化的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)與快速保護(hù)核心技術(shù)
攻克了SiC MOSFET精確驅(qū)動(dòng)的技術(shù)難點(diǎn)，研發(fā)出與之特性匹配的優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)電路方案，集成了主動(dòng)米勒鉗位等關(guān)鍵技術(shù)，有效抑制了寄生導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí)，針對(duì)SiC器件短路耐受時(shí)間短（~3us）的挑戰(zhàn)，成功開(kāi)發(fā)并驗(yàn)證了響應(yīng)時(shí)間達(dá)到微秒級(jí)的快速短路保護(hù)策略，顯著提升了功率模塊及系統(tǒng)的可靠性。
成果四：高集成度、高性能SiC電機(jī)控制器系統(tǒng)解決方案
成功將自主研發(fā)的SiC功率模塊、優(yōu)化驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路與先進(jìn)控制算法進(jìn)行高效集成，研制出新一代高性能新能源汽車(chē)電機(jī)控制器。通過(guò)在e-Power60B、e-power120等實(shí)際平臺(tái)上的全面測(cè)試與對(duì)比驗(yàn)證，證實(shí)該SiC控制器解決方案可實(shí)現(xiàn)峰值效率超過(guò)99.1%，系統(tǒng)峰值效率超過(guò)95.1%，控制器功率密度達(dá)到50 KW/L，且在典型工況下效率顯著優(yōu)于傳統(tǒng)IGBT方案，整車(chē)能效提升明顯。形成了完整的、可產(chǎn)業(yè)化的SiC電機(jī)控制器技術(shù)解決方案。

1.梁文勇  2.朱波  3.張鵬  4.司元申  5.孟璇  6.時(shí)辰  7.朱廣宇  8.許光滕  9.張恒源  10.韓宗考