2024年6月30日“高精度、寬溫區(qū)金屬基壓敏芯片和壓力傳感器”科技成果通過(guò)專(zhuān)家組認(rèn)定，技術(shù)水平國(guó)際領(lǐng)先。

會(huì)議邀請(qǐng)了中國(guó)載人航天辦公室、中國(guó)科學(xué)院過(guò)程工程研究所、清華大學(xué)集成電路學(xué)院、中國(guó)航天科工集團(tuán)科技質(zhì)量部、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、北京理工大學(xué)、國(guó)防科工局等單位首席專(zhuān)家組成評(píng)審委員會(huì)。

同時(shí)，保利航空、航天彩虹等應(yīng)用方代表，國(guó)新基金、國(guó)新證券、中兵基金等投資方代表，湖南地方政府代表列席會(huì)議。

評(píng)審委員會(huì)認(rèn)為，該項(xiàng)目發(fā)明了一種在金屬基底上制備二氧化硅薄膜的PECVD沉積工藝和方法和基于氮化鉭半導(dǎo)體電阻膜的壓敏芯片制備技術(shù)和工藝，在壓力測(cè)量量程、電壓耐受能力、耐溫范圍等性能指標(biāo)上達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平?！靖呖菩聞?chuàng)新聞中心宣】